Caso di successo

Questo prodotto è realizzato con materie prime di grafite di elevata purezza-di grado semiconduttore-che vengono raffinate attraverso un doppio processo di sinterizzazione sotto vuoto ad alta-temperatura e grafitizzazione ad alta-temperatura. È diviso in due serie: dissipatori di calore in grafite per semiconduttori e componenti strutturali in grafite per forni a vuoto. Il prodotto ha grana fine, consistenza uniforme e contenuto di impurità estremamente basso. Può essere sottoposto a lavorazioni meccaniche di alta-precisione ed è adatto per condizioni di produzione di semiconduttori di-alto-vuoto, alta-temperatura e alta-pulizia. È ampiamente utilizzato insieme a dispositivi di potenza a semiconduttore di terza-generazione, forni per la lavorazione di wafer e apparecchiature per vuoto ad alta-temperatura.

Servizio di qualità del marchio

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Sinterizzazione ad alta-temperatura sotto vuoto

Il blocco di grafite formato viene posto in un forno a vuoto sigillato e sinterizzato a una temperatura compresa tra 2000 e 2200 gradi. L'ambiente sottovuoto può isolare completamente l'aria, impedendo l'ossidazione della grafite; Allo stesso tempo, l'alta temperatura può decomporsi completamente e rimuovere il legante e tracce di impurità nella materia prima, rendendo il blocco più denso e riducendo la velocità di rilascio del vuoto del prodotto finito.

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Grafitizzazione ad alta-temperatura

Dopo la sinterizzazione, viene sottoposto a un trattamento di grafitizzazione ad alta-temperatura a 2500 - 3000 gradi, che ottimizza la struttura cristallina della grafite, migliorandone significativamente la conduttività termica, la resistenza alle alte-temperature e la stabilità strutturale.

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Lavorazione di precisione

Utilizzando CNC, scarica elettrica e altre apparecchiature di precisione per fresatura, foratura e sagomatura, la tolleranza dimensionale può raggiungere da ±0,01 a ±0,05 mm. La finitura superficiale è elevata e possono essere prodotte strutture speciali personalizzate secondo i disegni del cliente.

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Trattamento di purificazione superficiale

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Aiuto Domande frequenti

Problema comune

Due grandi categorie di prodotti sono suddivise come segue
(1) Dissipatori di calore in grafite a semiconduttore
Sviluppati per la dissipazione del calore di dispositivi a semiconduttore ad alta-potenza, includono diffusori di calore, basi di calore, nuclei di calore e alette di calore dalla forma speciale-. Facendo affidamento sull'eccellente conduttività termica nel-piano della grafite, disperdono rapidamente il calore generato da chip e moduli di potenza, risolvendo il problema dell'accumulo di calore locale dei dispositivi. Vengono utilizzati principalmente per semiconduttori SiC, GaN di terza generazione-, IGBT, dispositivi a microonde a radiofrequenza e componenti optoelettronici ad alta-potenza.
(2) Componenti in grafite per forni sotto vuoto
Personalizzato per componenti termici di forni sottovuoto ad alta-temperatura per semiconduttori, forni epitassiali, forni di ricottura, forni a diffusione, ecc. I prodotti principali includono: basi di wafer di grafite, elementi riscaldanti, componenti isolanti, gruppi di isolamento della cavità del forno, vassoi di supporto e componenti di direzione del flusso. Essendo i componenti termici principali del corpo del forno, funzionano continuamente in ambienti ad alta-temperatura, vuoto e gas inerte, garantendo una temperatura uniforme all'interno del forno e un ambiente pulito.
Grafite sinterizzata sotto vuoto-di elevata purezza, dissipazione del calore dei semiconduttori e accessori speciali per corpi di forni
Elevata purezza con bassa emissione di gas, resistente alle alte temperature e alla corrosione, prodotti di grafite preferiti per i processi di semiconduttori
Grafite-sinterizzata sotto vuoto a grana fine, che bilancia un'efficiente dissipazione del calore e l'applicazione sul campo termico-in forni ad alta temperatura
Dissipatori di calore in grafite per semiconduttori personalizzati con precisione, componenti in grafite per forni a vuoto
Principali campi di applicazione
Industria dei semiconduttori di terza-generazione: dispositivi di potenza SiC/GaN, moduli IGBT, componenti discreti semiconduttori, componenti di dissipazione del calore;
Apparecchiature per il trattamento ad alta-temperatura dei semiconduttori: forni di sinterizzazione sotto vuoto, forni epitassiali, forni di ricottura, campo termico dei forni a diffusione, componenti di supporto, riscaldamento e isolamento;
Campo a radiofrequenza e microonde: amplificatori di potenza della stazione base 5G, componenti radar T/R, parti di dissipazione del calore dei dispositivi a radiofrequenza satellitare;
Optoelettronica ed elettronica di potenza di fascia alta-: laser ad alta-potenza, LED ad alta-potenza, alimentatori industriali, strutture di dissipazione del calore delle stazioni di ricarica;
Elettronica aerospaziale e militare: dissipazione del calore di apparecchiature elettroniche di grande potenza-aviotrasportate e satellitari e componenti di supporto di fornaci ad alta-temperatura.