Piastra di temperatura uniforme in grafite VC
Jincheng Graphite, in qualità di produttore professionale di piastre a temperatura uniforme in grafite, fornisce piastre a temperatura uniforme VC in grafite ad alta conduttività termica e uniformità. Queste piastre sono appositamente progettate per il raffreddamento di semiconduttori e apparecchiature elettroniche di precisione, caratterizzate da elevata efficienza di conduttività termica, struttura stabile e lunga durata. Sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di raffreddamento dei chip ad alta-potenza.
Punti di forza fondamentali
Substrato in grafite su scala nano-
Utilizzando un processo composito di grafite ad elevata-purezza (contenuto di carbonio maggiore o uguale al 99,99%) e matrice metallica, la conduttività termica raggiunge 300 W/m·K, ottenendo una dissipazione del calore uniforme a livello di wafer e riducendo il rischio di punti caldi locali.
Capacità di distribuzione del calore ad alta-efficienza
Combinando più strati di grafite con una camera a vuoto, la resistenza termica viene ridotta a 0,05 K/W, garantendo che i chip ad alta-potenza mantengano una temperatura di lavoro stabile sotto carichi estremi.
Resistente agli ambienti estremi
Tollerante a un intervallo di temperature compreso tra -200 gradi e 3000 gradi, adatto per ambienti di reazione ad alta temperatura in apparecchiature a semiconduttore, pur avendo un'eccellente resistenza alla corrosione e compatibilità con gas di processo come idrogeno e azoto.
Scenario applicativo
Attrezzature per la produzione di semiconduttori
Nei processi ad alta-temperatura come CVD e PVD, la piastra di temperatura uniforme in grafite VC può distribuire uniformemente il calore, prevenendo la deformazione del materiale e migliorando la stabilità del processo.
Sistema laser ad alta-energia
Adattato alle cavità laser ad alta-energia, scarica rapidamente il calore attraverso la piastra di temperatura uniforme per garantire la sicurezza dell'apparecchiatura durante il funzionamento continuo ad alta-potenza.
Sistema di riscaldamento degli ambienti sottovuoto
In fasi come l'essiccazione e la ricottura dei wafer, la piastra di temperatura uniforme fornisce una distribuzione uniforme del calore, riducendo il rischio di danni materiali causati dallo stress termico.
Specifiche tecniche
| Conduttività termica | 250 - 400 W/m·K (personalizzabile in base ai requisiti di processo) |
| Intervallo di temperatura operativa | -200 gradi a 3000 gradi |
| Gas compatibili | Idrogeno, azoto, argon, ecc. (gas di processo dei semiconduttori) |
| Trattamento superficiale | Lucidatura/rivestimento al plasma (personalizzabile) |
Garanzia sulla tecnologia della grafite Jincheng
Basandosi su 20 anni di esperienza nella ricerca sui materiali in grafite, Jincheng Graphite adotta una tecnologia brevettata dei compositi sotto vuoto e una tecnologia di riempimento in grafite di grado nanometrico-per garantire il funzionamento stabile a lungo-termine del dissipatore di calore in condizioni estreme. Il prodotto ha superato la certificazione del sistema di qualità ISO 9001 e gli standard aerospaziali AS9100, soddisfacendo i severi requisiti della produzione di semiconduttori ad alta-precisione per la gestione termica.
Impegno di cooperazione
Jincheng Graphite fornisce un servizio personalizzato sull'intero processo- dalla progettazione, alla produzione fino al servizio post-vendita, supportando la produzione di prova in piccoli-lotti e la personalizzazione su larga-scala, garantendo un ciclo di consegna breve e costi controllabili. Attraverso la rete logistica globale e i team di assistenza locali, offre ai clienti soluzioni efficienti e stabili di piastre termiche uniformi in grafite VC, contribuendo a ottenere un funzionamento stabile a lungo-termine dei processi ad alta-precisione.
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