I. Crogiolo di grafite per forno di estrazione monocristallino (consumabile nucleo CZ per silicio monocristallino)
Punti di conoscenza del settore
Utilizzo: per contenere materiale di silicio fuso, fornendo una cavità dello stampo per la crescita di barre di silicio monocristallino, adatte per forni monocristallino di grandi dimensioni da 12/14/16- pollici;
Sfide sul posto di lavoro: immersione a lungo-termine in un liquido di silicio a 1420 gradi, la grafite ordinaria è soggetta a infiltrazioni di silicio, fessurazioni e all'introduzione di impurità come la cenere;
Standard rigorosi del settore: il contenuto di ceneri deve essere inferiore o uguale a 20 ppm; in caso contrario, le barre di silicio potrebbero presentare punti neri o non soddisfare i requisiti di resistenza.
Parametri tecnici fondamentali
| Articolo di prova | Parametro standard |
|---|---|
| Materia prima | Grafite isostatica a grana ultra-fine |
| Contenuto di cenere | Inferiore o uguale a 20 ppm |
| Densità apparente | 1,88~1,93 g/cm³ |
| Ciclo di servizio | 180~240 giri del forno |
| Resistenza allo shock termico | Nessuna crepa dopo 100 cicli di riscaldamento-raffreddamento |
2. Barca in grafite per deposizione di film PECVD (supporto per deposizione di wafer di silicio)
Punti di conoscenza del settore
1. Funzione: trasporta wafer di silicio da 182/210 mm nella camera di deposizione per completare il rivestimento in nitruro delle celle della batteria;
2. Tendenza del settore: wafer sottili e grandi, design a fessura stretta, la singola imbarcazione può trasportare il 30% in più di wafer rispetto a prima, adatta per linee di produzione automatizzate;
3. Logica della perdita: Il plasma bombarda continuamente la superficie, la barchetta in grafite senza rivestimento deve essere sostituita dopo 300 cicli; la durata del modello rivestito in SiC è aumentata di 2 volte.
Parametri tecnici fondamentali
| Articolo di prova | Parametro standard |
|---|---|
| Compatibile con wafer | Wafer di silicio da 182 mm/210 mm |
| Tolleranza di lavorazione | Distanza tra le fessure ±0,02 mm |
| Opzione di rivestimento | Rivestimento anti-plasma SiC |
| Durata di servizio unica | 300 volte (non rivestito) / 700 volte (rivestito SiC) |
| Porosità aperta | Inferiore o uguale allo 0,15% |
3. Elemento riscaldante in grafite (componente centrale riscaldante del forno monocristallino)
Punti di conoscenza del settore
1. Funzione: riscaldamento radiante nel forno a vuoto, mantenimento della temperatura costante del silicio fuso, determinazione della stabilità del diametro dell'asta di cristallo;
2. Requisiti prestazionali: la resistenza deve essere uniforme senza deviazioni, il surriscaldamento locale può causare la rottura dell'asta di silicio o provocare difetti nel reticolo;
3. Tendenza all'eliminazione dal settore: gli elementi riscaldanti in grafite a grana grossa- vengono gradualmente sostituiti da elementi riscaldanti in grafite a grana ultra-fine-pressando la grafite.
| Articolo di prova | Parametro standard |
|---|---|
| Temp. di lavoro | Max 1600 gradi continui |
| Deviazione della resistività | Inferiore o uguale al 3% in tutto |
| Conducibilità termica | Maggiore o uguale a 140 W/(m·K) |
| Resistenza all'ossidazione | Stabile in atmosfera inerte sotto vuoto |
| Durata di servizio | 1200 cicli del forno |
IV. Cilindro di deviazione in grafite/schermo termico (componente di deviazione dell'isolamento a cristallo singolo)
Punto di conoscenza del settore
Scopo: isolare la zona fredda del corpo del forno, guidare il flusso di gas argon, stabilizzare il gradiente del campo termico dell'asta di cristallo e ridurre i difetti di dislocazione;
Processo di settore: struttura composita a doppio-strato, con strato interno ad alta-densità e strato esterno a bassa-densità isolante in grafite;
Difetti comuni: la deformazione dello schermo termico causerà fluttuazioni nello spessore dell'asta di silicio e una diminuzione dell'efficienza di conversione della batteria dallo 0,3% allo 0,8%.
V. Fuso del cristallo di semi + asta di trazione in grafite (componente di sospensione per trazione del cristallo)
Punto di conoscenza del settore
Scopo: trattenere il seme del cristallo e tirarlo per formare un'asta di silicio a cristallo singolo. Può subire movimenti alternativi a lungo-termine e alternare condizioni di freddo e caldo.
Logica di selezione del materiale: grafite-con resistenza alla flessione ultraelevata. Non è soggetto a rotture durante il sollevamento e la trazione, evitando così lo spreco dell'intero lotto di materiali siliconici.
Controllo industriale: l'errore di peso di ciascun pezzo è rigorosamente controllato per evitare che il centro di gravità si sposti durante la trazione.
VI. Stampo in grafite per lingotti policristallini (配套 per fornace per lingottiere DS)
Punti di conoscenza del settore
Utilizzo: Contiene silicone liquido per il raffreddamento e la formatura di lingotti di silicio policristallino. Utilizzato principalmente per wafer di silicio fotovoltaico distribuito a basso-costo;
Condizioni operative differenziali: rispetto ai sistemi di riscaldamento a cristallo singolo,-lo stampo in grafite per la fusione dei lingotti è più mirato a resistere all'erosione di un'ampia-area da parte del liquido di silicio;
Stato del mercato: la capacità di produzione di policristallino è diminuita e i prodotti vengono gradualmente esportati verso fabbriche fotovoltaiche all'estero e nel sud-est asiatico.
VII. Parti in grafite rivestite in SiC (edizione di aggiornamento universale per tutte le categorie)
Conoscenza del settore
Principio del processo: una pellicola di silicio carbonizzato viene depositata sulla superficie della grafite per isolare il liquido di silicio, il plasma e l'ossigeno ad alta temperatura;
Valore del settore: la durata di tutte le parti fotovoltaiche in grafite è aumentata da 1,8 a 2,5 volte dopo il rivestimento, riducendo la frequenza di spegnimento e sostituzione delle apparecchiature;
Ambito di applicazione: barchette, crogioli ed elementi riscaldanti in grafite possono essere personalizzati con rivestimento.
Conoscenze supplementari del settore generale
Purity Red Line: il contenuto di ceneri dei componenti di grafite dei wafer di silicio fotovoltaici deve essere controllato entro 20 ppm. Le impurità metalliche danneggeranno direttamente la giunzione PN delle celle fotovoltaiche;
Logica dei costi: il rivestimento SiC aumenterà il-costo di approvvigionamento del singolo pezzo, ma ridurrà significativamente la perdita complessiva di wafer di silicio dovuta ai tempi di inattività e agli scarti della linea di produzione;
Tendenze del mercato dell'outsourcing: la costruzione di nuovi stabilimenti fotovoltaici nel Sud-Est asiatico e nel Medio Oriente sta aumentando anno dopo anno la domanda di sistemi completi di riscaldamento in grafite di elevata purezza e di imbarcazioni in grafite di grandi dimensioni-anno dopo anno.
