Forno solare per la crescita dei cristalli di silicio

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Forno solare per la crescita dei cristalli di silicio
Dettagli
Il forno solare per la crescita dei cristalli di silicio, appositamente progettato per l'industria fotovoltaica, adotta un sistema di riscaldamento in grafite ad alta-purezza (purezza maggiore o uguale al 99,98%), con eccellente resistenza alle alte-temperature (3000 gradi) ed eccellente uniformità termica. Proviene direttamente dalla Jin Cheng Graphite Technology, migliorando l'efficienza della crescita dei cristalli di silicio e la resa delle celle fotovoltaiche.
Punti di forza principali:
Sistema di riscaldamento in grafite di elevata-purezza: utilizza un processo composito in polvere di grafite su nano-scala e fibra di carbonio, con un intervallo di tolleranza della temperatura compreso tra -200 e 3.000 gradi, un aumento del 40% nell'efficienza della conduttività termica e una riduzione dei difetti reticolari (inferiore o uguale allo 0,15%).
Conformità ambientale e design di lunga-durata: certificato dallo standard REACH dell'UE, privo di residui di metalli pesanti (piombo inferiore o uguale a 15 ppm), in conformità con gli standard ISO 14001; con resistenza agli shock termici fino a 500 cicli, la durata è estesa a oltre 5000 ore.
Controllo preciso della temperatura e compatibilità del processo: supporta il controllo con precisione della temperatura di ±1 grado, compatibile con i metodi Czochralski (CZ) e Zone Melting (ZM), soddisfacendo i requisiti di fusione uniforme per lingotti di silicio di grandi-dimensioni (diametro maggiore o uguale a 250 mm) e riducendo il ciclo di processo del 15%.
Classificazione del prodotto
Barca di grafite
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Descrizione

Il forno solare per la crescita dei cristalli di silicio, appositamente progettato per l'industria fotovoltaica, adotta un sistema di riscaldamento in grafite ad alta-purezza (purezza maggiore o uguale al 99,98%), con eccellente resistenza alle alte-temperature (3000 gradi) ed eccellente uniformità termica. Proviene direttamente dalla Jin Cheng Graphite Technology, migliorando l'efficienza della crescita dei cristalli di silicio e la resa delle celle fotovoltaiche.

 

Punti di forza fondamentali

 

Sistema di riscaldamento in grafite di elevata purezza-

Utilizza un processo composito in polvere di grafite su scala nano-e fibra di carbonio, con un intervallo di tolleranza della temperatura compreso tra -200 e 3.000 gradi, un aumento del 40% dell'efficienza della conduttività termica e una riduzione dei difetti reticolari (inferiore o uguale allo 0,15%).

Conformità ambientale e design-di lunga durata

Certificato dallo standard EU REACH, esente da residui di metalli pesanti (piombo inferiore o uguale a 15 ppm), in conformità agli standard ISO 14001; con resistenza agli shock termici fino a 500 cicli, la durata è estesa a oltre 5000 ore.

Controllo preciso della temperatura e compatibilità del processo

Supporta il controllo con precisione della temperatura di ±1 grado, compatibile con i metodi Czochralski (CZ) e Zone Melting (ZM), soddisfacendo i requisiti di fusione uniforme per lingotti di silicio di grandi-dimensioni (diametro maggiore o uguale a 250 mm) e riducendo il ciclo di processo del 15%.

 

Scenari applicativi tipici

 

Produzione di cristalli di silicio fotovoltaici

Essendo l'apparecchiatura principale per la fusione del materiale di silicio, garantisce il riscaldamento uniforme e la qualità di cristallizzazione dei lingotti di silicio di grandi-dimensioni e migliora l'efficienza di conversione della batteria.

Purificazione dei materiali semiconduttori

Utilizzato per ambienti con gas di elevata purezza-per reazioni ad alta-temperatura, fornisce una fonte di calore stabile, riduce il consumo di energia e migliora l'efficienza della reazione.

Processi industriali ad alta-temperatura

Applicabile alla metallurgia, alla ceramica e ad altri campi, soddisfacendo i requisiti di uniformità e stabilità della temperatura per processi complessi.

 

Perché scegliere la tecnologia della grafite Jin Cheng?

 

In qualità di fornitore principale nel campo dei forni solari per la crescita di cristalli di silicio, Jin Cheng migliora la conduttività termica e la resistenza allo shock termico delle apparecchiature attraverso il suo processo composito brevettato (CN2023XXXXXX) e ottiene il sistema di qualità ISO 9001 e la certificazione CE UE per garantire stabilità. Rispetto a prodotti simili, la purezza dei corpi dei forni Jin Cheng è aumentata del 20%, il consumo energetico è ridotto del 25%, il feedback dei clienti mostra che la resa è aumentata del 15% e i costi di manutenzione sono diminuiti del 40%.

 

Agisci immediatamente

 

Invia le tue esigenze (come dimensioni del forno, intervallo di temperatura, tipo di processo) e ti forniremo una soluzione personalizzata per il forno per la crescita dei cristalli di silicio solare (inclusi parametri tecnici, stima dei costi e casi applicativi) entro 48 ore. 80+ imprese fotovoltaiche globali hanno verificato: la fornace di crescita dei cristalli di silicio solare Jin Cheng, che rende la produzione di cristalli di silicio più efficiente e stabile!

 

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